Logo

Powłoka z węglika krzemu (CVD)

Proces ten jest wyjątkowy, ponieważ łączy w sobie dobrze zdefiniowany rozmiar kryształu, strukturę izotropową i niską chropowatość powierzchni. Wysoki wskaźnik wzrostu osiągnięty przez SiC3 (powlekanie węglikiem krzemu) zapewnia, że produkt pozostaje opłacalny.

Powłoka może być stosowana w technologii półprzewodnikowej, lotniczej i astronautycznej oraz w technice grzewczej. Zapewni to wysoką czystość i nieprzepuszczalną warstwę grafitu, porowatych materiałów ceramicznych i kompozytów. Połączenie umiejętności doboru grafitu wraz z doświadczeniem w obróbce grafitu, oferowanym przez naszą firmę, zapewni Państwu optymalne wsparcie w zakresie różnych kluczowych komponentów dla tych gałęzi przemysłu.

Rewolucyjna powłoka SiC3 oferuje następujące zalety:

  • Struktura sześcienna zapewnia powłokę o wysokiej gęstości. Znacznie poprawia to odporność na korozję i wydłuża żywotność podzespołów.
  • Doskonałe pokrycie ślepych otworów. Z 30% grubością powłoki o głębokości Ø1x5mm w dół otworu.
  • Powłoka o wysokiej czystości. Jest to możliwe do osiągnięcia dzięki zastosowaniu gazów o wysokiej czystości w procesie powlekania, przy jednoczesnym zachowaniu niskiej absorpcji N2 w celu osiągnięcia wyższej niż standardowa czystość w przemyśle.
  • Dostosowywana chropowatość powierzchni. Proces powlekania może być dostosowany do różnych chropowatości powierzchni.

Powłoka SiC3 – grafit powlekany węglikiem krzemu

Penetracja

Ogromną zaletą SIC3 produkowanego przez technologię CVD jest jego “siła rzutu” lub głębokość penetracji. Otwory o średnicy do 1 mm mogą być powlekane do głębokości 5 mm, zachowując 30% grubości warstwy w najgłębszym miejscu. Przy wierceniu otworów o większej średnicy można uzyskać jeszcze bardziej równomierną grubość warstwy.

Zastosowania

Powłoka ochronna na elementy grafitowe stosowane w produkcji chemicznego osadzania z par związków metaloorganicznych (MOCVD), EPI, półprzewodników i technologii LED.

SiC3 Powłoka ceramiczna

SiC3 to skrót od sześciennego węglika krzemu, jest izotropową, czystą powłoką z węglika krzemu oferowaną przez naszą firmę i ma zastosowanie w szerokim zakresie. Powłoką SiC3 można powlekać materiały odporne na wysokie temperatury, takie jak grafit, ceramika na bazie SiC oraz niektóre metale ogniotrwałe, takie jak wolfram i molibden. Powłoka chroni materiał bazowy przed korozją, utlenianiem, działa jak bariera dyfuzyjna oraz zapobiega wchłanianiu i desorpcji zanieczyszczeń z materiału bazowego, które mogą zakłócać procesy produkcyjne. Powłoka zapobiega również przedostawaniu się cząsteczek materiału podkładowego do procesu lub urządzenia. W połączeniu z materiałami porowatymi, takimi jak grafit, górna warstwa grafitu jest przesączana powłoką SiC3, co zapewnia najwyższą przyczepność i ochronę przed korozją. Zastosowania można znaleźć w przemyśle półprzewodnikowym, produkcji diod LED, solarnym, specjalnej obróbce cieplnej i lotniczym.

Powłoki dostarczane przez CGT Carbon

Jako niezależny dostawca grafitu i powłok oferujemy krótkie terminy dostaw, konkurencyjne ceny i najwyższe standardy jakości. Produkowana powłoka posiada preferencyjną sześcienną strukturę 3C, która zapewnia najlepszą ochronę antykorozyjną w porównaniu z innymi strukturami SiC. Nie ograniczając się do grafitu o określonej jakości lub innych gatunków materiałów, możemy dostarczyć rozwiązania dostosowane do indywidualnych potrzeb.

Technologia i ogólna charakterystyka

CGT Carbon wykorzystuje technologię CVD do produkcji cienkich powłok z węglika krzemu o grubości od 10 do 200 µm. Produkowana powłoka posiada preferencyjną sześcienną, strukturę 3C, która zapewnia najlepszą ochronę antykorozyjną w porównaniu z innymi konstrukcjami z SiC. Standardowa grubość wynosi 80-100 µm, a technologia umożliwia pokrycie wszystkich obszarów gęstą powłoką. Małe, ślepe otwory są powlekane nawet na głębokość powyżej 5 mm i średnicę 1 mm.

Produkty umieszcza się w reaktorze na czystych materiałach kompatybilnych z procesem, takich jak oczyszczony grafit i wstępnie powlekane materiały pomocnicze SiC3. W połączeniu z wykorzystaniem gazów półprzewodnikowych prowadzi to do powstania powłoki o minimalnym stopniu zanieczyszczenia, a tym samym do poprawy odporności na korozję. Konstrukcja reaktora zapewnia obecność w strefie wysokiej temperatury wyłącznie materiałów o wysokiej czystości wraz z gazami o wysokiej czystości, dzięki czemu powstają niezwykle czyste warstwy o wysokiej rezystywności elektrycznej. Procesy wysokotemperaturowe u klientów końcowych potwierdziły znakomitą jakość powłoki SiC3, często przewyższającą rozwiązania oparte na OEM.

Wafle (krzem, szafir, SiC, GaN) poddawane obróbce zyskują na wysokiej czystości i dobrze zdefiniowanej powierzchni SiC3. Przewodność cieplna jest wysoka, a przenoszenie ciepła przez powłokę nie jest ograniczone. Pozostałe właściwości materiału odpowiadają wartościom teoretycznym.

Obecnie maksymalna wielkość elementów jest ograniczona do 360 mm. W przyszłości będziemy oferować również większe części.

Właściwości ogólne

Powłoka może być stosowana w technologii półprzewodnikowej, lotniczej i astronautycznej oraz w technice grzewczej. Zapewni wysoką czystość i nieprzepuszczalną warstwę grafitu, porowatej ceramiki i kompozytów. Połączenie wyboru grafitu z doświadczeniem w obróbce grafitu, oferowanym przez naszą firmę, zapewni klientom optymalne wsparcie w zakresie różnych kluczowych komponentów w tych branżach.

Grubość warstwy może być zróżnicowana, ale zwykle uzyskuje się warstwę o grubości 80-100 µm.

Właściwości ogólne

Poniżej przedstawiono typowe wartości dla niektórych ważnych właściwości SIC3 . Niektóre z nich (tj. rozmiar kryształu, oporność elektryczna) można dostosować i zoptymalizować pod kątem konkretnych zastosowań.

Specyfikacja SiC3

CechaWartość
Gęstość3200 kg.m-3
Struktura kryształu3C (cubic; β)
Porowatość0% (helium leak tight)
Rozmiar kryształu1 – 5 µm
Wygląd zewnętrznyGrey, satin to dull
Rozszerzalność cieplna (RT -400oC)4.2 x 10-6m.K-1
Przewodność cieplna (@20oC)200 W.m-1.K-1
Moduł Sprężystości450 GPa
Rezystywność elektryczna(@20oC)1MΩ.m

XDR

Najwyższe wartości szczytowe przedstawione na wykresie doskonale odpowiadają strukturze krystalicznej 3C.

Schemat dyfraktogramu

Chropowatość powierzchni

Parametry chropowatości powierzchni wynoszą Ra = 0,8 µm, Rz = 5 µm i Rt = 8 µm.

Typowy profil chropowatości powierzchni.

Czystość materiału

Poniższa tabela przedstawia zanieczyszczenia powodowane przez powłokę SiC3. Najniższa granica wykrywalności za pomocą tej metody. Badanie przeprowadzone przez laboratoria EAG z wykorzystaniem spektroskopii masy wyładowań jarzeniowych.

PierwiastekZanieczyszczenia (PPM)
sód<0.01
magnez<0.01
glin<0.02
potas<0.5
wapń<0.05
tytan<0.005
wanad<0.005
chrom<0.3
żelazo<0.04
kobalt<0.05
nikiel<0.05
molibden<0.05
cyna<0.05
wolfram<0.01
Kontaktformular
Ochrona danychImpressum